实话实说，现在的芯片工艺纳米很忽悠人，要看晶体管密度

2022年，三星、台积电宣称自己进入了3nm。

不过真正3nm芯片大规模量产，还是在2023年，苹果的A17Pro应该是首款，至于三星的3nm芯片，目前市场上并没有看到。

按照公布的信息来看，台积电、三星将在2025年实现2nm，而intel则表示自己会在2024年也就是今年实现2nm。

当然，3nm，2nm或者5nm也好，大家也不必太认真。

因为最重要的是，在14nm之后，各大晶圆厂关于芯片工艺到底是XXnm，已经是一团糟了，3nm未必就一定是3nm，2nm也未必就是2nm。

因为从14nm时，进入了FinFET晶体管时代，这种晶体管是立体的，不再像以前工艺节点和栅极长度、线宽一样是有关联的。

这时候的XX纳米，其实是一种等效工艺，因为不一定要缩小线宽，也能够实现性能的提升等。

所以从14nm开始，很多人认为所谓的多少纳米，其实已经是一种营销游戏了，这样说也没太多问题，但其实从14nm之后，关于芯片工艺，还有是一个评价标准的，那就是晶体管密度。

因为芯片是由晶体管运算来决定的，晶体管越多，性能肯定越强，同样单位面积下，晶体管越多，肯定工艺就越高，这是最简单的道理。

所以严格的来讲，当进入14nm之后，我们单独的说某一家晶圆厂进入了5nm、3nm并没有太多意义，实话实说，现在的芯片工艺纳米很忽悠人，要看晶体管密度而是要结合对方工艺的晶体管密度来看，那么谁在搞数字游戏，谁在认真造芯片，就一目了然了。

上图就是intel、台积电、三星在14nm到2nm时，典型工艺节点时，其晶体管密度，单位是百万/平方毫米。

可以看到在14nm时，intel是最牛的，达到了0.375亿颗每平方毫米，三星是0.329亿颗，而台积电当时是16nm只有0.29亿颗，台积电最落后，所以台积电只也称之为16nm。直到12nm时才追上来，达到0.36亿颗。这也是为何苹果的A7芯片，三星和台积电两家代工厂的原因，因为确实三星当时很强。

接下来是10nm时，台积电发力，达到了0.6亿颗了，而三星落后了，只有0.518亿颗，英特尔则只有0.446亿颗，intel最差了。

然后是5nm，台积电最领先，而三星落后了，intel则改名为intel4，在晶体管密度上算上追上了台积电。

到3nm时，三星彻底落后了，晶体管密度只有1.5亿颗每平方毫米，只有台积电的5nm水平了，当然intel在这一块，还是不玩虚的，表现不错的，达到了2.2亿颗每平方毫米。

从上图，大家可以很明显的看出来，进入14nm之后，大家在XX纳米时的水平，其实完全是不一样的，台积电和intel可能还有拼一拼的能力，但三星确实不行了，所以三星的客户越来越少。

由此可见，接下来的芯片工艺，我们真不能用XX纳米来比较，不能认为谁小，谁就先进，真正比较的，应该是晶体管密度，你觉得呢？